
尽管都属于半导体二极管家族,肖特基与齐纳二极管在物理结构和工作机制上存在根本区别。
在正向偏置下,两者均表现出类似导通行为;但在反向偏置下,特性截然不同:
肖特基二极管虽然导通压降低,效率高,但其反向漏电流随温度升高而急剧增加,高温环境下可能引发热失控。因此,需在高功率或高温环境中加强散热设计。
齐纳二极管的稳压精度受温度影响较大。例如,低于5.6V的齐纳管具有负温度系数,高于5.6V则为正温度系数。为提高精度,常采用多只齐纳管串联或搭配温度补偿电路。
肖特基二极管由于快速开关特性,容易产生电磁干扰(EMI)。在高频电路中,建议配合滤波电容和屏蔽措施以减少噪声传播。
在现代快充方案中,充电器内部采用肖特基二极管作为同步整流的续流二极管,有效提升转换效率至90%以上。同时,通过齐纳二极管构建反馈回路,实现输出电压精准控制,保障设备安全。
某工业控制系统中,采用齐纳二极管搭建5.1V稳压源,为模拟前端提供稳定的参考电压。同时,使用肖特基二极管防止外部电源反接导致系统损坏,双管协同确保系统可靠性。
综合来看,肖特基二极管擅长“高效传输”,而齐纳二极管专精“电压控制”。在实际工程中,应根据电路功能模块合理搭配使用,发挥各自优势:
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